Talaan ng mga Nilalaman:
- Kahulugan - Ano ang kahulugan ng Extended Data Out Random Access Memory (EDO RAM)?
- Ipinaliwanag ng Techopedia ang Pinalawak na Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Kahulugan - Ano ang kahulugan ng Extended Data Out Random Access Memory (EDO RAM)?
Ang pinalawak na data sa labas ng random na memorya ng pag-access (EDO RAM / DRAM) ay isang maagang uri ng dynamic na random access memory (DRAM) chip na idinisenyo upang mapagbuti ang pagganap ng mabilis na pahina ng mode ng DRAM (FPM DRAM) na ginamit noong 1990. Ang pangunahing tampok nito ay tinanggal ang mga oras ng paghihintay sa pamamagitan ng pahintulot na magsimula ang isang bagong cycle habang pinapanatili ang data ng output buffer mula sa nakaraang pag-ikot ng aktibo, na nagpapahintulot sa isang antas ng pipelining (overlap sa operasyon) na pinabuting pagganap.
Ipinaliwanag ng Techopedia ang Pinalawak na Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Ang pinalawak na data sa labas ng pabago-bagong memorya ng pag-access ay ipinakilala noong 1994 at nagsimulang palitan ang mabilis na mode ng pahina ng DRAM noong 1995 nang ipinakilala ng Intel ang 430FX chipset na sumusuporta sa EDO DRAM. Bago iyon, maaaring mapalitan ng EDO DRAM ang FPM DRAM, ngunit kung ang memory controller ay hindi partikular na idinisenyo para sa EDO, kung gayon ang pagganap ay nanatiling pareho ng FPM.
Ang Single-cycle na EDO DRAM ay nagagawa ang isang buong transaksyon sa memorya sa isang solong siklo ng orasan, kung hindi man, magagawa ito sa dalawang siklo sa halip na tatlo, sa sandaling napili ang pahina. Ang kakayahan ng EDO ay pinahihintulutan itong palitan ang mabagal na L2 cache ng mga PC sa oras na iyon at nabawasan ang malaking pagkawala ng pagganap na nauugnay sa L2 cache, habang ginagawang mas mura ang mga PC upang bumuo ng pangkalahatang. Kaya ang isang sistema ng paggamit ng EDO na may L2 cache ay mas mabilis kumpara sa kumbinasyon ng FPM at L2 cache, habang ang pagiging mas mura upang maitayo.
Ang EDO ay minarkahan para sa 40 MHz maximum na rate ng orasan, 64 bits ng bandwidth ng bus, 320 MB peak bandwidth at tumakbo sa 5 volts. Ito ay kapansin-pansing mas mabilis kaysa sa mas matandang FPM DRAM na mayroon lamang 25 MHz max na rate ng orasan at 200 MBps bandwidth peak. Gayunpaman, pinalitan ito ng mas mabilis na SDRAM na nagsisimula noong 1996, pagkatapos lamang ng dalawang taong pangunahing paggamit.
